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ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备
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商品编号
45115329752279138965
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自有
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常熟紫金知识产权服务有限公司
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本发明公开了一种ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法。该紫外发光二极管衬底为生长在蓝宝石上的n型GaN,在衬底自下而上依次有由ZnO和Zn1-xMgxO交替沉积形成的ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层、p型NiO薄膜层和第二电极,第一电极与ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层并列沉积在n型GaN膜层上。其制备方法是首先用射频磁控溅射工艺在衬底上制备ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层;然后在n型ZnO薄膜层上溅射p型NiO薄膜层;最后制作第一电极和第二电极。ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管具有较好的电致紫外自由激射发光特性,发光峰值波长在373nm左右,单根激射光线宽小于0.5nm。ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管制备工艺简单、成本低廉,易于实现产业化。
本发明公开了一种ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法。该紫外发光二极管衬底为生长在蓝宝石上的n型GaN,在衬底自下而上依次有由ZnO和Zn1-xMgxO交替沉积形成的ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层、p型NiO薄膜层和第二电极,第一电极与ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层并列沉积在n型GaN膜层上。其制备方法是首先用射频磁控溅射工艺在衬底上制备ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层;然后在n型ZnO薄膜层上溅射p型NiO薄膜层;最后制作第一电极和第二电极。ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管具有较好的电致紫外自由激射发光特性,发光峰值波长在373nm左右,单根激射光线宽小于0.5nm。ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管制备工艺简单、成本低廉,易于实现产业化。
商品类型 专利 申请号 CN201010214026.8 所属行业 暂缺
专利类型 发明 法律状态 有权 IPC分类号 H01S5/34(2006.01)I
交易方式 其他 专利状态 已授权 授权号
技术领域 新材料 有效期至 长久有效 授权日
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